什么是絕緣電阻和漏電流？

　　在測試過(guò)程中，按下測試按鈕產(chǎn)生的高直流電壓將導致小（微安）電流流過(guò)導體和絕緣層。電流量取決于施加的電壓量、系統的電容、總電阻和材料的溫度。對于固定電壓，電流越大，電阻越低（E=IR，R=E/I）。總電阻是導體的內阻（小值）加上以 MO 為單位的絕緣電阻的總和。

　　儀表上讀取的絕緣電阻值將是以下三個(gè)獨立子電流的函數。

　　傳導泄漏電流 (I L )傳導電流是通常流過(guò)絕緣層、導體之間或從導體到地的少量（微安）電流。該電流隨著(zhù)絕緣的惡化而增加，并在吸收電流（見(jiàn)圖 1）消失后變得占主導地位。因為它相當穩定且與時(shí)間無(wú)關(guān)，所以這是測量絕緣電阻的最重要的電流。

　　當前組件

　　容性充電泄漏電流 (I C )當兩個(gè)或多個(gè)導體一起在滾道中運行時(shí)，它們充當電容器。由于這種電容效應，泄漏電流會(huì )流過(guò)導體絕緣層。當施加直流電壓時(shí)，該電流僅持續幾秒鐘，并在絕緣體充電至其完全測試電壓后下降。在低電容設備中，電容電流高于傳導漏電流，但通常在我們開(kāi)始記錄數據時(shí)就消失了。因此，在記錄之前讓讀數“穩定下來(lái)”很重要。另一方面，在測試高電容設備時(shí)，電容充電泄漏電流可能會(huì )持續很長(cháng)時(shí)間才能穩定下來(lái)。

　　極化吸收漏電流 (I A )

　　吸收電流是由介電材料內的分子極化引起的。在低電容設備中，最初幾秒鐘的電流很高，然后緩慢下降到幾乎為零。在處理高容量設備或潮濕污染的絕緣時(shí)，吸收電流長(cháng)時(shí)間不會(huì )下降。