?華意電力是一家專(zhuān)業(yè)研發(fā)生產(chǎn)接地電阻測試儀的廠(chǎng)家，本公司生產(chǎn)的接地電阻測試儀在行業(yè)內都廣受好評，以打造最具權威的“接地電阻測試儀“高壓設備供應商而努力。

? 接觸電阻就是電流流過(guò)閉合的接觸點(diǎn)對時(shí)的電阻。這類(lèi)測量是在諸如連接器、繼電器和開(kāi)關(guān)等元件上進(jìn)行的。接觸電阻一般非常小其范圍在微歐姆到幾個(gè)歐姆之間。根據器件的類(lèi)型和應用的情況，測量的方法可能會(huì )有所不同。通常，一些基本的原則都采用開(kāi)爾文四線(xiàn)法進(jìn)行接觸電阻的測量。

測量方法??

? 圖4-42說(shuō)明用來(lái)測試一個(gè)接點(diǎn)的接觸電阻的基本配置。使用具有四端測量能力的歐姆計，以避免在測量結果中計入引線(xiàn)電阻。將電流源的端子接到該接點(diǎn)對的兩端。取樣（Sense）端子則要連到距離該接點(diǎn)兩端電壓降最近的地方。其目的是避免在測量結果中計入測試引線(xiàn)和體積電阻（bulk?resistance）產(chǎn)生的電壓降。體積電阻就是假定該接點(diǎn)為一塊具有相同幾何尺寸的金屬實(shí)體，而使其實(shí)際接觸區域的電阻為零時(shí)，整個(gè)接點(diǎn)所具有的電阻，設計成只有兩條引線(xiàn)的器件有的時(shí)候很難進(jìn)行四線(xiàn)連接。器件的形式?jīng)Q定如何對其進(jìn)行連接。一般，應當盡可能按照其正常使用的狀態(tài)來(lái)進(jìn)行測試。在樣品上放置電壓探頭時(shí)不應當使其對樣品的機械連接產(chǎn)生影響。例如，焊接探頭可能會(huì )使接點(diǎn)發(fā)生不希望的變化。然而，在某些情況下，焊接可能是不可避免的。被測接點(diǎn)上的每個(gè)連接點(diǎn)都可能產(chǎn)生熱電動(dòng)勢。然而，這種熱電動(dòng)勢可以用電流反向或偏置補償的方法來(lái)補償。

干電路（Dry?Circuit）測試

? 通常，測試接點(diǎn)電阻的目的是確定接觸點(diǎn)氧化或其它表面薄膜積累是否增加了被測器件的電阻。即使在極短的時(shí)間內器件兩端的電壓過(guò)高，也會(huì )破壞這種氧化層或薄膜，從而破壞測試的有效性。擊穿薄膜所需要的電壓電平通常在30mV到100mV的范圍內。??

在測試時(shí)流過(guò)接點(diǎn)的電流過(guò)大也能使接觸區域發(fā)生細微的物理變化。電流產(chǎn)生的熱量能夠使接觸點(diǎn)及其周?chē)鷧^域變軟或熔解。結果，接點(diǎn)面積增大并導致其電阻降低。??

? 為了避免這類(lèi)問(wèn)題，通常采用干電路的方法來(lái)進(jìn)行接點(diǎn)電阻測試。干電路就是將其電壓和電流限制到不能引起接觸結點(diǎn)的物理和電學(xué)狀態(tài)發(fā)生變化電平的電路。這就意味著(zhù)其開(kāi)路電壓為20mV或更低，短路電流為100mA或更低。由于所使用的測試電流很低，所以就需要非常靈敏的電壓表來(lái)測量這種通常在微伏范圍的電壓降。由于其它的測試方法可能會(huì )引起接點(diǎn)發(fā)生物理或電學(xué)的變化，所以對器件的干電路測量應當在進(jìn)行其它的電學(xué)測試之前進(jìn)行。

? 為了達到降低接地網(wǎng)接地電阻之目的，首先需要從理論上研究降低接地電阻的方法。由公式R=ρε/C可以看出，降低接地電阻有以下兩種途徑，一是增大接地體幾何尺寸，以增大接地體的電容C；二是改善地質(zhì)電學(xué)性質(zhì)，減小地的電阻率??和介電系數ε。下面分別討論降低接地電阻的一些方法。

1、增大接地網(wǎng)面積??

? 由上面接地電阻的物理概念，依據式（2.10），大地電阻率ρ和介電系數ε不容易改變，而接地電阻R與接地網(wǎng)電容C成反比：從理論上分析，接地網(wǎng)電容C主要由它的面積尺寸決定，與面積成正比，所以接地網(wǎng)面積與接地電阻成反比。減小接地網(wǎng)接地電阻，增大接地網(wǎng)面積是可行途徑。一個(gè)有多根水平接地體組成的接地網(wǎng)可以近似地看成一塊孤立的平板，借用平板接地體接地電阻計算公式，當平板面積增大一倍時(shí)，接地電阻減小29.3%。??

2、增加垂直接地體??

? 依據電容概念，增加垂直接地體可以增大接地網(wǎng)電容。當增加的垂直接地體長(cháng)度和接地網(wǎng)長(cháng)、寬尺寸可比擬時(shí)，接地網(wǎng)由原來(lái)的近似于平板接地體趨近于一個(gè)半球接地體，電容會(huì )有較大增加，接地電阻會(huì )有較大減小。由埋深為零半徑為ｒ的圓盤(pán)和半徑為ｒ的半球電容之比４εr／２πεr可得，接地電阻減小３６％。但是對于大型接地網(wǎng)，其電容主要是由它的面積尺寸決定，附加于接地網(wǎng)上有限長(cháng)度（２～３ｍ）的垂直接地體，不足以改變決定電容大小的幾何尺寸，因而電容增加不大，亦接地電阻減小不多。所以大型接地網(wǎng)不應加以增加垂直接地體作為減小接地電阻的主要方法，垂直接地體僅作為加強集中接地散泄雷電流之用。??

3、人工改善地電阻率??

? 在高電阻率地區采用人工改善地電阻率的方法，對減小接地電阻具有一定效果。例如，對于一個(gè)半徑為ｒ的半圓球接地體而言，其接地電阻的50%集中在自接地體表面至距球心2ｒ的半圓球內，如果將ｒ至2ｒ間的土壤電阻率降低，可使接地電阻大大減小。設原地電阻率為ρ2，將ｒ至2ｒ范圍內的電阻率為ρ2的土壤用低電阻率的材料ρ1置換，則半圓球接地體的接地電阻為：

? 置換前的接地電阻RX為：

? R與RX之比為：

? 故接地電阻減小的百分數為５０%。另外由５．１式可以看出，用低電阻率的材料置換半球附近高電阻率的土壤，相當于將半球接地體的半徑由Ｒ增大到２Ｒ，由于接地體幾何尺寸的增加，而使接地電阻減小。??

4、深埋接地體??

? 在地電阻率隨地層深度增加而減小較快的地方，可以采用深埋接地體的方法減小接地電阻。地的電阻率隨深度而減小的規律，往往在達到一定深度后，地電阻率會(huì )突然減小很多。因此利用大地性質(zhì)，深埋接地體后，使接地體深入到地電阻率低的地層中，通過(guò)小的地電阻率來(lái)達到減小接地電阻的目的。對于地電阻率隨地層深度的增加而減小不大的地方，由于地電阻率變化不大，增加接地網(wǎng)的埋深只是增大接地網(wǎng)的電容。利用電容的概念，電容具有儲藏電場(chǎng)能量的本領(lǐng)，它所儲藏的能量，不是儲藏在極板上，而是儲藏在整個(gè)介電質(zhì)中，即整個(gè)電廠(chǎng)中：介電質(zhì)中的能量密度，既與介電系數有關(guān)，又與電場(chǎng)的分布有關(guān)，因此，比起接地網(wǎng)的幾何尺寸小得多的有限埋深，所增加的儲藏能量的介質(zhì)空間極為有限；在有限空間中的能量密度又小，儲藏的總能量也就增加不多，即電容增加不大，所以對減小接地電阻作用不大，不宜采用深埋接地體的方法減小接地電阻。